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    KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
    离子源     霍尔离子源                                           射频离子源                       考夫曼离子源                              离子源自动控制器

    KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.

    KRI 考夫曼离子源 KDC 系列

    离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

    型号

    KDC 10

    KDC 40

    KDC 75

    KDC 100

    KDC 160

    离子束流

    >10 mA

    >100 mA

    >250 mA

    >400 mA

    >650 mA

    离子动能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    栅极直径

    1 cm Φ

    4 cm Φ

    7.5 cm Φ

    12 cm Φ

    16 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

    KRI 考夫曼离子源 KDC 75

    考夫曼离子源 KDC 75
    尺寸: 直径= 5.5“ 高= 7.9”
    离子束动能: 100-1200 eV
    电流: 250 mA

    考夫曼离子源

    KRI 考夫曼离子源 KDC 10

    考夫曼型离子源 KDC 系列最小型号的离子源
    尺寸:直径= 1.52“ 高= 4.5”
    离子束动能: 100-1200 ev
    电流: 10 mA

    考夫曼离子源  KDC 10

    KRI 考夫曼离子源 KDC 40

    考夫曼离子源 KDC 40
    尺寸: 直径= 3.5“ 高= 6.75”
    离子束动能: 100-1200 eV
    电流: 120 mA

    考夫曼离子源 KDC40

    KRI 考夫曼离子源 KDC 100

    考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源,广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中

    KRI 考夫曼离子源 KDC 160

    考夫曼离子源 KDC 160
    尺寸: 直径= 9.1“ 高= 9.92”
    放电电压: 100-1200 eV
    电流: 800 mA

    考夫曼离子源 KDC160

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