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    KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
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    KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean

    KRi 霍尔离子源典型应用溅镀镀膜预清洁工艺 Pre-clean
    上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 400F 成功应用于 6寸硅片电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺 Pre-clean.
    KRi霍尔离子源 EH400
    电源管理集成电路芯片镀膜时常用的材料, 例如: 铌酸锂 LiNbO3 , 钛酸钡 BaTi03 , 锆钛酸铅 PTZ, 氧化锌 ZnO , 氮化铝 AiN … 膜层与硅片会有脱膜及电性阻抗问题. 美国 KRI 霍尔离子源有最高广角的涵盖面积 >45?, 及高解离率获得高密度的离子浓度, 在电源管理集成电路芯片 PMIC  的压电材料镀膜前有效的将硅片做清洁及平整化处理, 提高膜层的附着力及提高生产良率.

    电源管理集成电路芯片 PMIC 溅镀镀膜前预清洁工艺
    设备: 5只靶材复合性溅镀机
    基材: 6 存硅片
    真空系统: 上海伯东美国 HVA 高真空插板阀 + 伯东 Pfeiffer 全磁浮分子泵
    KRi 霍尔离子源: EH 400F
    预清洁工艺离子源条件: Vd:120V (离子束阳极电压), Id:3.5A (离子束阳极电流), Ar gas: 20sccm (氩气).
    KRi 霍尔离子源 EH400
    KRi 霍尔离子源腔体中 KRi 霍尔离子源 EH 400 本体, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

    上海伯东美国 KRi 霍尔源可依客户镀膜机尺寸, 基材尺寸, 工艺条件选择适合型号

    型号

    eH400

    eH1000

    eH2000

    eH3000

    中和器

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    离子束阳极电压

    50-300 V

    50-300 V

    50-300 V

    50-250 V

    离子束阳极电流

    5A

    10A

    10A

    20A

    散射角度

    >45

    >45

    >45

    >45

    气体流量

    2-25 sccm

    2-50 sccm

    2-75 sccm

    5-100 sccm

    本体高度

    3.0“

    4.0“

    4.0“

    6.0“

    直径

    3.7“

    5.7“

    5.7“

    9.7“

    水冷

    可选

    可选

    可选

    F = Filament; HC = Hollow Cathode;

    若您需要进一步的了解 KRi 离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
    上海伯东: 叶小姐                                   台湾伯东: 王小姐
    T: +86-21-5046-3511 ext 109              T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
    M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )      M: +886-939-653-958
    qq: 2821409400 
    www.imoozz.com                        www.hakuto-vacuum.com.tw

    现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶小姐 1391-883-7267
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