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    分子束外延 MBE-8
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    分子束外延 MBE-8

    分子束外延 MBE-8
    上海伯东代理分子束外延设备 MBE-8 可以成长三寸以下的样品, 样品温度可以加到 900 摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄氏度. 可以装置 8个束源炉, 最大容量 40cc. 配备晶振, 束流监控器, 高能电子枪以及监控软件. 可以装置固体源, 气体源 / ALD阀, 等离子增强型束源炉 ( plasma cell ) 及我们特制的电子回旋共振束源炉 ( ECR plasma cell ). 可装电子枪 E-beam.

    此腔体是用 SUS316 不锈钢制作, 真空可到 2×10-10 torr, 使用上海伯东德国 Pfeiffer HiPace 700 分子泵.内部有全罩式液态氮冷罩, 可提供非常大的抽气效率. 分子束外延设备在长二维材料以及拓扑材料, 氧化物方面都有不错的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金属与金属氧化物 (因为我们有独步全球的激光加热器, 可到 2英寸), 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

    分子束外延 MBE-8 主要参数
    • Cylindrical SS316L electro-polished chamber with Liquid N2 Cryopanel
    • ~2E-10 Torr Base Pressure
    • UHV pumps and gauges
    • 3-in substrate size
    • 4-axes sample manipulator (XYZ, and Rotation)
    • SiC heating element with sample heating temperature: 900°C
    • 2-12 slots for effusion cells, gas source, vavle crackers, and/or plasma source
    • Standard RHEED system (real-time epitaxy monitoring)
    • Beam flux monitor
    • Mask system with z-motion
    • Pressure control system: upstream and downstream
    • FBBeam System Control Software

    分子束外延设备优势
    清洁基体表面, 无氧层
    外延 ( 原子层 ) 沉积
    沉积薄膜均匀性好, 纯度高
    金属种子, 半导体材料和掺杂剂的原位沉积

    精确控制热蒸发
    使用 RHEED 系统进行现场涂层监测
    沉积薄膜的超竖琴 XRD 图谱

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