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    KRi 射频离子源 RFICP 100
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    KRi 射频离子源 RFICP 100

    KRI 射频离子源 RFICP 100
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.

    KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数

    型号

    RFICP 100

    Discharge 阳极

    RF 射频

    离子束流

    >350 mA, 可以达到 400 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    10 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    5-30 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    23.5 cm

    直径

    19.1 cm

    中和器

    LFN 2000

    KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域
    预清洗
    表面改性
    辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE

    客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
    美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
    美国 HVA 真空闸阀
    德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
    射频离子源

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

    若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
    上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
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