<address id="v9jtp"><nobr id="v9jtp"><progress id="v9jtp"></progress></nobr></address>

<noframes id="v9jtp">
<form id="v9jtp"><nobr id="v9jtp"><progress id="v9jtp"></progress></nobr></form>

<address id="v9jtp"><address id="v9jtp"><nobr id="v9jtp"></nobr></address></address><address id="v9jtp"><nobr id="v9jtp"><progress id="v9jtp"></progress></nobr></address>

    KRi 射频离子源 RFICP 40
    阅读数: 4609

    KRi 射频离子源 RFICP 40

    KRI 射频离子源 RFICP 40
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

    射频离子源 RFICP 40 特性:
    1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
    2. 离子源结构??榛杓? 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
    3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
    4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
    5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
    6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

    KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

    型号

    RFICP 40

    Discharge 阳极

    RF 射频

    离子束流

    >100 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    4 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    3-10 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    12.7 cm

    直径

    13.5 cm

    中和器

    LFN 2000

    KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:
    预清洗
    表面改性
    辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

    若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
    上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
    T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
    M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
    上海伯东版权所有, 翻拷必究!

    其他产品
    皇族电竞