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    KRI 考夫曼离子源 KDC 100
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    KRI 考夫曼离子源 KDC 100

    KRI 考夫曼离子源 KDC 100
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

    KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数:

    型号

    KDC 100

    供电

    DC magnetic confinement

     - 阴极灯丝

    2

     - 阳极电压

    0-100V DC

    电子束

    OptiBeam™

     - 栅极

    专用, 自对准

     -栅极直径

    12 cm

    中和器

    灯丝

    电源控制

    KSC 1212

    配置

    -

     - 阴极中和器

    Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

     - 安装

    移动或快速法兰

     - 高度

    9.25'

     - 直径

    7.6'

     - 离子束

    聚焦
    平行
    散设

     -加工材料

    金属
    电介质
    半导体

     -工艺气体

    惰性
    活性
    混合

     -安装距离

    8-36”

     - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 可调角度的支架

    KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域:
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
    表面改性, 激活 SM
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE

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