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    KRI 霍尔离子源 eH 系列
    阅读数: 8992

    KRI 霍尔离子源 eH 系列

    美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列
    美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.
    霍尔离子源

    美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性
    无栅极
    高电流低能量
    发散光束 >45
    可快速更换阳极???br /> 可选 Cathode / Neutralize 中和器

    美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用
    辅助镀膜 IBAD
    溅镀&蒸镀 PC
    表面改性、激活 SM
    沉积 (DD)
    离子蚀刻 LIBE
    光学镀膜
    Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
    Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

    例如
    1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
    2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
    3. 表面处理
    4. 表面硬化层镀膜
    5. 磁控溅射辅助镀膜
    7. 偏压离子束磁控溅射镀膜

    美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH

    霍尔离子源 eH 系列在售型号:

    型号

    eH400

    eH1000

    eH2000

    eH3000

    eH Linear

    中和器

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F

    阳极电压

    50-300 V

    50-300 V

    50-300 V

    50-250 V

    50-300 V

    离子束流

    5A

    10A

    10A

    20A

    根据实际应用

    散射角度

    >45

    >45

    >45

    >45

    >45

    气体流量

    2-25 sccm

    2-50 sccm

    2-75 sccm

    5-100 sccm

    根据实际应用

    本体高度

    3.0“

    4.0“

    4.0“

    6.0“

    根据实际应用

    直径

    3.7“

    5.7“

    5.7“

    9.7“

    根据实际应用

    水冷

    可选

    可选

    可选

    根据实际应用

    F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

    若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式
    上海伯东: 叶小姐                                  台湾伯东: 王小姐
    T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
    M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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